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2SD882T中文资料

  • 大小:130.48KB
  • 厂家:TD
  • 描述:Dated : 16/09/2016 Rev: 01 TOP DYNAMIC 2SD882T NPN Silicon Power Transistor The transistor is subdivided into four groups, R, Q, P and E, according to its DC current gain. Absolute Maximum Ratings (T a = 25 O C) Parameter Symbol Value Unit Collector to Base Voltage V CBO 40 V Collector to Emitter Voltage V CEO 30 V Emitter to Base Voltage V EBO 5 V Collector Current I C 3 A Collector Current (pulse) I C (pulse) 7 A Total power dissipation (T a = 25 O C) P tot 1 W Total power dissipation (T c = 25 O C) P tot 10 W Junction Temperature T j 150 O C Storage Temperature Range T Stg -55 to +150 O C Characteristics at T a = 25 O C Parameter Symbol Min. Typ. Max. Unit DC Current Gain at V CE = 2 V, I C = 1 A Current Gain Group R Q P E at V CE = 2 V, I C = 20 mA h FE h FE h FE h FE h FE 60 100 160 200 30 - - - - - 120 200 320 400

2SD882T供应商

更新时间:2023-01-11 02:18:22
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